Конструктивно технологические особенности субмикронных МОП транзисторов Техносфера 978 5 94836 289 2

Цена: 1188 773 руб.

Категория: Образование, учебная литература, Для специалистов, Информатика. Электроника. Связь, Научные издания, теории, монографии, статьи, лекции
Производитель: Техносфера
Артикул: 978-5-94836-289-2
Модель:

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Магазин: My-shop.ru

Штрих-код: 9785948362892
Цвет: Зелёный
ISBN: 978-5-94836-289-2
Объем: 800
Ширина: 175 мм
Длина: 245 мм
Высота: 37 мм
Серия: Мир электроники
Автор: Красников Геннадий Яковлевич
Год: 2011
Вес: 1186 г
Группа: Книги
Обложка: твердый переплёт
vat: VAT_10