Конструктивно технологические особенности субмикронных МОП транзисторов Техносфера 978 5 94836 289 2

Цена: 1459 руб.

Категория: Научно-популярная литература, Технические науки, Радиоэлектроника
Производитель: Техносфера
Артикул: 978-5-94836-289-2
Модель:

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.

Магазин: Буквоед

ISBN: 978-5-94836-289-2
Объем: 800
Серия: Мир электроники
Автор: Красников Г.
Издательство: Техносфера
Год: 2011
Код номенклатуры: ORS730856831478565
Электронная: Нет
noСкидка: no