МОС гидридная эпитаксия в технологии материаловфотоники и электроники Техносфера 9785948365213

Цена: 1359 руб.

Категория: Наука. Техника. IT, Химия. Научные издания
Производитель: Техносфера
Артикул: 9785948365213
Модель:

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Магазин: Читай-город

ISBN: 9785948365213
Объем: 488
Автор: Мармалюк Александр Анатольевич, Акчурин Рауф Хамзинович
Издательство: Техносфера
Год: 2020
Возрастное ограничение: 12
Вес: 0.960